Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 39
    Около -5% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 14.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.9 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.1 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.7 left arrow 12.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2183 left arrow 2973
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения