RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
51
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link