RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link