RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
51
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link