RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link