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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
48
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
39
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2159
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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