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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
39
读取速度,GB/s
8.9
14.3
写入速度,GB/s
5.9
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2159
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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