RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
104
Около -300% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2880
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link