Comparaison de la RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Note globale

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 16.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,404.5 13.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 104

Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 6400

Autour de 3.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

786 2880

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns