RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4000
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link