RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
4000
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link