RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2723
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link