RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
50
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
50
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2424
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link