RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
50
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
50
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2424
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link