RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2907
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link