RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2907
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link