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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
81
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
81
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1668
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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