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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2595
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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