Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Puntuación global
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Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 42
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.6 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.5 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 42
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 11.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2126 left arrow 2595
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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