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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
2595
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