RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
42
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2595
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link