RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3125
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link