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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3125
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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