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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2330
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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