RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2330
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link