RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link