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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 18
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 46
    Por volta de -64% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.0 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 3200
    Por volta de 5.31 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 18.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 13.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 3188

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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