RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
46
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
17
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3481
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link