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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
46
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3801
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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