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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
46
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3801
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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