RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
46
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3801
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link