RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3091
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link