Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

総合得点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 19.1

テスト平均値

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 46

周辺 -48% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.7 1,519.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 3200

周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 31
読み出し速度、GB/s

2,909.8 19.1
書き込み速度、GB/秒

1,519.2 13.7
メモリ帯域幅、mbps

3200 17000

Other

商品説明

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

241 3091

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Elpida KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

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Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

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Kingston HX316C10F/8 8GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

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