RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3889
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link