RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3889
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link