RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
42
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3126
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link