RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2933
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link