RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2933
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link