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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
相違点
仕様
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
44
周辺 -26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
35
読み出し速度、GB/s
11.2
16.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2293
2933
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
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