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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB 考慮すべき理由
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 44
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 2941

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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