RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 44
    周辺 -144% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 18.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 3529

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
メモリRAM