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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
11.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2933
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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