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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
81
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
81
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1523
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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