RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
81
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
81
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1523
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link