RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
81
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
4114
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link