RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link