RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
45
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link