RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link