RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
45
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link