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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3141
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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