RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
46
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
21
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3141
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link