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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
46
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2723
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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